Descritos por primera vez en 1971 por Leon Chua, de la Universidad de Berkeley, los memristores son dispositivos capaces de cambiar su resistencia interna cuando se le aplica un escalón de corriente, o lo que es lo mismo, pueden almacenar información interpretable según el nivel de la resistencia.
Dada su implementación física a escala atómica y un consumo de energía insignificante, la sustitución de componentes tradicionales por memristores supondría un gran avance. Podríamos imaginar sin dificultad la llegada de discos duros de tamaño muy reducido, capacidad sobresaliente y unas velocidades de acceso, lectura y escritura insuperables.
En teoría de circuitos eléctricos, el memristor es un elemento de circuito pasivo. Ha sido descrito como el cuarto elemento de los circuitos pasivos, Junto con los tres mejor conocidos: el condensador, la resistencia y el inductor.[1] El nombre es una palabra compuesta de memory resistor (resistencia-memoria).
Un memristor efectivamente almacena información porque el nivel de su resistencia eléctrica cambia cuando es aplicada la corriente. Donde una resistencia típico proporciona un nivel estable de resistencia, un memristor puede tener un alto nivel de resistencia que puede ser interpretado en una computadora en términos de datos como un "1", y un bajo nivel que puede ser interpretado como un "0". Así, controlando la corriente, los datos pueden ser guardados y reescritos. En un sentido, un memristor es una resistencia variable que, con su resistencia, refleja su propia historia.
El memristor fue predicho y descrito en 1971 por Leon Chua, de la Universidad de California, Berkeley, en un artículo que apareció en IEEE Transactions on Circuit Theory.